用于极紫外波长范围内的波长的反射光学元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380030163.1

申请日：

2023-04-04

公开(公告)号：

CN118946829A

公开(公告)日：

2024-11-12

发明(设计)人：

A·帕兹迪斯

申请人：

卡尔蔡司SMT有限责任公司

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G02B5/08

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王蕊瑞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-12	公开	公开
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02B 5/08申请日:20230404

共 50 条

[1]

用于紫外波长范围的光学元件 [P].

A·帕齐迪斯 .

德国专利 :CN121175599A ,2025-12-19

[2]

用于极紫外光刻的反射光学元件 [P].

J.韦伯 .

中国专利 :CN102782531B ,2012-11-14

[3]

紫外波长范围的光学模块 [P].

S·西克斯 ;

T·格鲁纳 ;

V·施科洛弗 ;

S·比林 ;

M·施瓦布 ;

T·温泽尔 ;

M·瓦格纳菲尔 ;

U·洛林 .

德国专利 :CN120660043A ,2025-09-16

[4]

校正用于5nm和20nm之间波长范围的反射光学元件的方法 [P].

J.卡尔登 .

中国专利 :CN110352365B ,2019-10-18

[5]

用于沉积外层的工艺、用于EUV波长范围的反射光学元件和EUV光刻系统 [P].

D·厄姆 ;

S·施密特 ;

A·马梅里 ;

F·罗泽博姆 .

德国专利 :CN117545873A ,2024-02-09

[6]

反射光学元件和用于极紫外光刻的光学系统 [P].

D.H.埃姆 ;

P.休伯 ;

S.米兰德 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN103547945B ,2014-01-29

[7]

制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

A.库兹尼佐夫 ;

M.格里森 ;

R.W.E.范德克鲁杰斯 ;

F.比杰科克 .

中国专利 :CN103635974A ,2014-03-12

[8]

处理反射光学元件的方法、反射光学元件和光学装置 [P].

O·莫格尔-库恩 ;

T·格拉伯 ;

S·瓦格斯鲁伊斯 ;

M·维瑟 ;

S·维斯纳 ;

F·朗格 ;

A·希多伦科 ;

F·沙佩尔 .

德国专利 :CN121175596A ,2025-12-19

[9]

用于反射在VUV波长区域中的辐射的光学元件 [P].

F·朗格 ;

A·帕齐迪斯 ;

K·福克特 ;

A·韦甘德 ;

K·希克 ;

M·哈特林 .

德国专利 :CN121186900A ,2025-12-23

[10]

反射光学元件的基板 [P].

E.伊娃 .

中国专利 :CN112384483A ,2021-02-19

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