用于紫外波长范围的光学元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480033752.X

申请日：

2024-05-16

公开(公告)号：

CN121175599A

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

A·帕齐迪斯

申请人：

卡尔蔡司SMT有限责任公司

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G02B5/08

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王蕊瑞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	公开	公开

共 50 条

[1]

用于极紫外波长范围内的波长的反射光学元件 [P].

A·帕兹迪斯 .

德国专利 :CN118946829A ,2024-11-12

[2]

紫外波长范围的光学模块 [P].

S·西克斯 ;

T·格鲁纳 ;

V·施科洛弗 ;

S·比林 ;

M·施瓦布 ;

T·温泽尔 ;

M·瓦格纳菲尔 ;

U·洛林 .

德国专利 :CN120660043A ,2025-09-16

[3]

具有波长选择性的光学元件 [P].

丰岛隆之 ;

安崎利明 ;

仲间健一 .

中国专利 :CN1444734A ,2003-09-24

[4]

具有波长选择性的光学元件 [P].

丰岛隆之 ;

安崎利明 .

中国专利 :CN1386205A ,2002-12-18

[5]

用于深紫外光源的光学元件 [P].

S·达斯 ;

E·A·梅森 ;

J·T·梅尔基奥尔 .

中国专利 :CN113474951A ,2021-10-01

[6]

用于深紫外光源的光学元件 [P].

S·达斯 ;

E·A·梅森 ;

J·T·梅尔基奥尔 .

美国专利 :CN113474951B ,2024-12-13

[7]

双波长光学元件 [P].

稻垣胜人 .

中国专利 :CN1324585C ,2005-07-13

[8]

波长分离元件及光学元件 [P].

矢内雄二郎 ;

久永和也 .

日本专利 :CN121175602A ,2025-12-19

[9]

用于极紫外光刻的反射光学元件 [P].

J.韦伯 .

中国专利 :CN102782531B ,2012-11-14

[10]

用于沉积外层的工艺、用于EUV波长范围的反射光学元件和EUV光刻系统 [P].

D·厄姆 ;

S·施密特 ;

A·马梅里 ;

F·罗泽博姆 .

德国专利 :CN117545873A ,2024-02-09

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