校正用于5nm和20nm之间波长范围的反射光学元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880014619.4

申请日：

2018-02-27

公开(公告)号：

CN110352365B

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

J.卡尔登

申请人：

申请人地址：

德国上科亨

IPC主分类号：

G02B112

IPC分类号：

G02B508 G03F720

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王蕊瑞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 1/12 申请日:20180227
2022-04-19	授权	授权
2019-10-18	公开	公开

共 19 条

[1]

５ｎｍ〜２０ｎｍの波長域用の反射光学素子を補正する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020509413A ,2020-03-26

[2]

用于极紫外波长范围内的波长的反射光学元件 [P].

A·帕兹迪斯 .

德国专利 :CN118946829A ,2024-11-12

[3]

制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

A.库兹尼佐夫 ;

M.格里森 ;

R.W.E.范德克鲁杰斯 ;

F.比杰科克 .

中国专利 :CN103635974A ,2014-03-12

[4]

处理反射光学元件的方法、反射光学元件和光学装置 [P].

O·莫格尔-库恩 ;

T·格拉伯 ;

S·瓦格斯鲁伊斯 ;

M·维瑟 ;

S·维斯纳 ;

F·朗格 ;

A·希多伦科 ;

F·沙佩尔 .

德国专利 :CN121175596A ,2025-12-19

[5]

防反射光学元件和防反射光学元件的制造方法 [P].

宫原正明 ;

国定照房 ;

涩谷穰 .

中国专利 :CN102681044A ,2012-09-19

[6]

用于沉积外层的工艺、用于EUV波长范围的反射光学元件和EUV光刻系统 [P].

D·厄姆 ;

S·施密特 ;

A·马梅里 ;

F·罗泽博姆 .

德国专利 :CN117545873A ,2024-02-09

[7]

用于EUV波长范围的反射光学元件、制造和校正这种元件的方法、包括这种元件的微光刻的投射镜头及包括这种投射镜头的微光刻的投射曝光设备 [P].

M.韦斯 ;

N.克维恩 ;

M.韦瑟 ;

B.比特纳 ;

N.瓦布拉 ;

C.施利琴迈耶 ;

W.克劳斯 .

中国专利 :CN103858055A ,2014-06-11

[8]

反射光学元件和用于操作EUV光刻设备的方法 [P].

D.H.埃姆 ;

A.多科纳尔 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN102576196A ,2012-07-11

[9]

制作用于光学元件的基板的方法以及反射光学元件 [P].

A.施梅尔 ;

H.西克曼 .

中国专利 :CN112189064A ,2021-01-05

[10]

反射光学元件和用于极紫外光刻的光学系统 [P].

D.H.埃姆 ;

P.休伯 ;

S.米兰德 ;

G.冯布兰肯哈根 .

中国专利 :CN103547945B ,2014-01-29