一种太赫兹光源器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510740432.0

申请日：

2015-11-04

公开(公告)号：

CN106653838B

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

孙钱周宇冯美鑫高宏伟秦华孙建东杨辉

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2932 H01S102

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-17	授权	授权
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724560867 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2015107404320 申请日:20151104
2017-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

石墨烯太赫兹光源器件及其制作方法 [P].

秦华 ;

朱成成 ;

向兰勇 ;

孙建东 .

中国专利 :CN113013714B ,2021-06-22

[2]

太赫兹光源芯片、光源器件、光源组件及其制造方法 [P].

秦华 ;

孙建东 ;

黄永丹 ;

郑中信 ;

吴东岷 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN104466617B ,2015-03-25

[3]

一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法 [P].

牛斌 ;

范道雨 .

中国专利 :CN111900093A ,2020-11-06

[4]

半导体太赫兹相干光源器件 [P].

陆卫 ;

江俊 ;

陈效双 ;

李宁 ;

李志锋 ;

季亚林 .

中国专利 :CN1225826C ,2004-01-28

[5]

石墨烯太赫兹波探测器及其制作方法 [P].

杨昕昕 ;

孙建东 ;

秦华 .

中国专利 :CN104916732A ,2015-09-16

[6]

一种半导体器件及其制作方法 [P].

谭桂英 ;

曲晓东 .

中国专利 :CN120529611A ,2025-08-22

[7]

一种氮化物半导体器件及其制作方法 [P].

樊永辉 .

中国专利 :CN119815868A ,2025-04-11

[8]

场发射光源器件及其制作方法 [P].

周明杰 ;

李清涛 ;

马文波 .

中国专利 :CN102347204B ,2012-02-08

[9]

场发射光源器件及其制作方法 [P].

周明杰 ;

马文波 ;

李清涛 .

中国专利 :CN103026455B ,2013-04-03

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037330A ,2018-12-18

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