一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911381364.8

申请日：

2019-12-27

公开(公告)号：

CN111146006A

公开(公告)日：

2020-05-12

发明(设计)人：

成家洪王玮许鹏刘天宇孙潇楠张金涛苏扬柏寄荣

申请人：

申请人地址：

213032 江苏省常州市新北区辽河路666号

IPC主分类号：

H01G920

IPC分类号：

H01G9042

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

杨静文

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01G 9/20 申请公布日:20200512
2020-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/20 申请日:20191227
2020-05-12	公开	公开

共 50 条

[1]

TiO2/MoS2超薄纳米片阵列复合材料的制备方法 [P].

马德琨 ;

齐菲宣羽 ;

蔡芳芳 ;

黄少铭 .

中国专利 :CN110106519A ,2019-08-09

[2]

一种层状MoS2‑TiO2纳米复合材料的制备方法 [P].

曹维成 ;

王快社 ;

胡平 ;

刘东新 ;

杨帆 ;

安耿 ;

卜春阳 ;

厉学武 ;

唐丽霞 ;

何凯 ;

刘仁智 .

中国专利 :CN105817237B ,2016-08-03

[3]

TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法 [P].

郁可 ;

傅豪 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104402052A ,2015-03-11

[4]

一种MOS2/TiO2纳米复合材料及其制备方法 [P].

卢锡洪 ;

于明浩 ;

童叶翔 .

中国专利 :CN103426648B ,2013-12-04

[5]

一种基于表面改性的TiO2/MoS2复合材料的制备方法 [P].

陶俊光 ;

宋晓琳 ;

陈贵锋 ;

张辉 ;

罗文博 ;

王梦雪 .

中国专利 :CN105944738A ,2016-09-21

[6]

一种中空TiO2/MoS2复合材料及其制备方法 [P].

杨明辉 ;

王传洗 ;

曲奉东 ;

风晓华 ;

王倩 .

中国专利 :CN106902846B ,2017-06-30

[7]

一种棒状PANI/TiO2纳米复合材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108927226A ,2018-12-04

[8]

一种复合纳米材料MoS2/TiO2纳米管阵列的制备方法及其应用 [P].

李玥 ;

赵龙涛 ;

高风仙 ;

叶英杰 ;

刘建 ;

陶雁忠 .

中国专利 :CN105442012A ,2016-03-30

[9]

Cu（II）-NH2-MIL-125/TiO2纳米棒复合材料的制备方法 [P].

桑丽霞 ;

王旭东 .

中国专利 :CN113694967A ,2021-11-26

[10]

一种Au修饰TiO2纳米棒阵列光阳极的制备方法 [P].

俞红梅 ;

李永坤 ;

付丽 ;

张长昆 ;

邵志刚 ;

衣宝廉 .

中国专利 :CN103872174A ,2014-06-18

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