TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410598134.8

申请日：

2014-10-30

公开(公告)号：

CN104402052A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

郁可傅豪朱自强

申请人：

申请人地址：

200062 上海市普陀区中山北路3663号

IPC主分类号：

C01G3906

IPC分类号：

C01G23053 B82Y3000 B01J27051

代理机构：

上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257

代理人：

董红曼

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 39/06 申请日:20141030 授权公告日:20160210 终止日期:20181030
2016-02-10	授权	授权
2015-03-11	公开	公开
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604811233 IPC(主分类):C01G 39/06 专利申请号:2014105981348 申请日:20141030

共 50 条

[1]

波浪MoS2纳米片镶嵌蒲公英TiO2纳米球复合异质结半导体材料及其制备方法 [P].

傅豪 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104437555A ,2015-03-25

[2]

三维MoS2/SnO2异质半导体纳米材料及其制备方法 [P].

李金柱 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104324715A ,2015-02-04

[3]

基于TiO2的纳米异质结复合光催化材料及其制备方法 [P].

马清 ;

占旭 ;

檀满林 ;

符冬菊 ;

陈建军 .

中国专利 :CN106582641A ,2017-04-26

[4]

一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法 [P].

成家洪 ;

王玮 ;

许鹏 ;

刘天宇 ;

孙潇楠 ;

张金涛 ;

苏扬 ;

柏寄荣 .

中国专利 :CN111146006A ,2020-05-12

[5]

一维CdS/TiO2复合半导体光催化纳米材料及其制备方法 [P].

占金华 ;

王乐 .

中国专利 :CN100560203C ,2008-07-02

[6]

基于TiO2纳米异质结复合光阳极的制备方法 [P].

马清 ;

占旭 ;

陈建军 ;

檀满林 ;

张维丽 .

中国专利 :CN106653371B ,2017-05-10

[7]

二维MoS2和TiO2纳米带异质结构材料的制备 [P].

梁智萍 ;

张松利 .

中国专利 :CN108339553A ,2018-07-31

[8]

一种MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料及其制备方法 [P].

郝兰众 ;

刘云杰 ;

韩治德 ;

薛庆忠 .

中国专利 :CN106567039B ,2017-04-19

[9]

一种层状MoS2‑TiO2纳米复合材料的制备方法 [P].

曹维成 ;

王快社 ;

胡平 ;

刘东新 ;

杨帆 ;

安耿 ;

卜春阳 ;

厉学武 ;

唐丽霞 ;

何凯 ;

刘仁智 .

中国专利 :CN105817237B ,2016-08-03

[10]

一种复合纳米材料MoS2/TiO2纳米管阵列的制备方法及其应用 [P].

李玥 ;

赵龙涛 ;

高风仙 ;

叶英杰 ;

刘建 ;

陶雁忠 .

中国专利 :CN105442012A ,2016-03-30

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