二维MoS2和TiO2纳米带异质结构材料的制备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711486397.X

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN108339553A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

梁智萍张松利

申请人：

申请人地址：

212000 江苏省镇江市润州区南徐大道298号

IPC主分类号：

B01J27051

IPC分类号：

B01J3502 B01J3708 B01J3710 C02F130

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B01J 27/051 申请公布日:20180731
2018-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

模板法制备的二维TiO2纳米材料的方法 [P].

齐立红 ;

陈玉金 ;

李春燕 ;

欧阳秋云 .

中国专利 :CN103896331B ,2014-07-02

[2]

TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法 [P].

郁可 ;

傅豪 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104402052A ,2015-03-11

[3]

一种二维纳米结构MoS2纳米片的制备方法 [P].

程志林 ;

吴沛蓉 ;

刘赞 .

中国专利 :CN107055615A ,2017-08-18

[4]

一种二维MoS2纳米片的制备方法 [P].

解仁国 ;

周淼 ;

张卓磊 ;

张颖 ;

杨文胜 .

中国专利 :CN105523585A ,2016-04-27

[5]

二维介孔聚苯胺/MoS2复合纳米材料的制备方法和应用 [P].

侯丹 ;

麦亦勇 ;

田豪 ;

王楠 ;

朱姝妍 ;

徐富贵 ;

张鹏飞 ;

牛雯慧 .

中国专利 :CN107731569A ,2018-02-23

[6]

一种Ag/AgCl和TiO2纳米线复合材料的制备 [P].

张松利 ;

马开梅 .

中国专利 :CN108339554A ,2018-07-31

[7]

波浪MoS2纳米片镶嵌蒲公英TiO2纳米球复合异质结半导体材料及其制备方法 [P].

傅豪 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104437555A ,2015-03-25

[8]

一种MoS2量子点负载纳米TiO2的制备方法 [P].

黄凤娟 ;

蔡宏 .

中国专利 :CN111408386A ,2020-07-14

[9]

一种复合纳米材料MoS2/TiO2纳米管阵列的制备方法及其应用 [P].

李玥 ;

赵龙涛 ;

高风仙 ;

叶英杰 ;

刘建 ;

陶雁忠 .

中国专利 :CN105442012A ,2016-03-30

[10]

一种SiO2‑MoS2介孔复合纳米材料及其制备方法和应用 [P].

韩成良 ;

沈寿国 ;

张凌云 ;

姚李 ;

胡坤宏 .

中国专利 :CN105289659B ,2016-02-03

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