一种MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610902366.7

申请日：

2016-10-17

公开(公告)号：

CN106567039B

公开(公告)日：

2017-04-19

发明(设计)人：

郝兰众刘云杰韩治德薛庆忠

申请人：

申请人地址：

266580 山东省青岛市经济技术开发区长江西路66号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1418 C23C1435

代理机构：

青岛智地领创专利代理有限公司 37252

代理人：

毛胜昔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101719986459 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:2016109023667 申请日:20161017
2017-04-19	公开	公开
2019-06-25	授权	授权

共 50 条

[1]

三维MoS2/SnO2异质半导体纳米材料及其制备方法 [P].

李金柱 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104324715A ,2015-02-04

[2]

一种MoO2/MoS2复合电极材料及其制备方法 [P].

王又容 ;

程四清 ;

高新蕾 .

中国专利 :CN109950509A ,2019-06-28

[3]

一种TiWN/MoS2复合薄膜的制备方法 [P].

李长生 ;

莫超超 ;

唐华 ;

范有志 ;

胡志立 .

中国专利 :CN102094172B ,2011-06-15

[4]

TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法 [P].

郁可 ;

傅豪 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104402052A ,2015-03-11

[5]

一种MoS2/MoSe2异质结薄膜及其制备方法与应用 [P].

彭陈阳 ;

刘富德 ;

郑大伟 ;

古元 ;

熊汉琴 .

中国专利 :CN112687760B ,2021-04-20

[6]

纳米球包围的MoS2微米空心球结构半导体材料及其制备方法 [P].

谭英华 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104192908A ,2014-12-10

[7]

一种镁合金表面MoS2薄膜材料的制备方法 [P].

武恒 ;

王玉彬 ;

童彦睿 .

中国专利 :CN115558972A ,2023-01-03

[8]

一种MoS2/Ni3S2电极材料及其制备方法和应用 [P].

黄柏标 ;

刘小磊 ;

王朋 ;

王泽岩 ;

张晓阳 ;

秦晓燕 ;

郑昭科 ;

刘媛媛 ;

张倩倩 .

中国专利 :CN109046383A ,2018-12-21

[9]

一种以绝缘基片为衬底的碳-铝-碳半导体薄膜材料及其制备方法 [P].

刘云杰 ;

郝兰众 ;

韩治德 ;

薛庆忠 .

中国专利 :CN106505046B ,2017-03-15

[10]

一种MoS2/Au/Ag异质结构及制备方法和应用 [P].

刘璐 ;

赵晓菲 ;

王晓涵 ;

王玉洁 ;

魏义胜 ;

张超 .

中国专利 :CN113109315A ,2021-07-13

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