一维CdS/TiO2复合半导体光催化纳米材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710116037.0

申请日：

2007-12-25

公开(公告)号：

CN100560203C

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

占金华王乐

申请人：

申请人地址：

250100山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

B01J2704

IPC分类号：

B01J2106 B82B300

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司

代理人：

王绪银

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-02	公开	公开
2014-02-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101572122283 IPC(主分类):B01J 27/04 专利号:ZL2007101160370 申请日:20071225 授权公告日:20091118 终止日期:20121225
2009-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

三维海胆状ZnS/CdS复合半导体光催化纳米材料的制备方法 [P].

刘淑玲 ;

李红霖 ;

仝建波 .

中国专利 :CN103111309A ,2013-05-22

[2]

一维CdS-Ni半导体-磁性功能复合纳米材料及其制备方法 [P].

占金华 ;

王乐 ;

杨敏 .

中国专利 :CN100480407C ,2008-04-30

[3]

基于TiO2的纳米异质结复合光催化材料及其制备方法 [P].

马清 ;

占旭 ;

檀满林 ;

符冬菊 ;

陈建军 .

中国专利 :CN106582641A ,2017-04-26

[4]

一种CdS/TiO2纳米异质结光催化材料及其制备方法和应用 [P].

丁中祥 ;

刘金成 ;

赵伟 ;

张锦宏 .

中国专利 :CN109225263B ,2019-01-18

[5]

多孔TiO2纳米光催化材料的制备方法 [P].

张海娇 ;

丁国际 ;

张晶 ;

谭英杰 ;

周洪顺 ;

焦正 .

中国专利 :CN102962042A ,2013-03-13

[6]

CeO2:CDs/TiO2纳米材料及其在光催化方面的应用 [P].

白静怡 ;

王鑫 ;

刁国旺 .

中国专利 :CN111085185A ,2020-05-01

[7]

CoPc/TiO2复合半导体纳米材料的制备及光电流测试方法 [P].

卢小泉 ;

张翠忠 ;

仵博万 ;

赵东霞 ;

王金凤 ;

张霞 ;

李莉 ;

乔志刚 .

中国专利 :CN102398891A ,2012-04-04

[8]

TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料及其制备方法 [P].

郁可 ;

傅豪 ;

朱自强 .

中国专利 :CN104402052A ,2015-03-11

[9]

一种复合半导体光催化材料及其制备方法 [P].

袁晓娇 ;

张国庆 ;

阳楚雄 ;

区文仕 .

中国专利 :CN106345496A ,2017-01-25

[10]

一种TiO2/CuS/TiO2复合光热催化材料及其制备方法 [P].

王红菊 ;

单孟博 ;

武大鹏 ;

刘彦磊 ;

刘玉芳 .

中国专利 :CN115364838A ,2022-11-22

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