一维CdS-Ni半导体-磁性功能复合纳米材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710114838.3

申请日：

2007-11-29

公开(公告)号：

CN100480407C

公开(公告)日：

2008-04-30

发明(设计)人：

占金华王乐杨敏

申请人：

申请人地址：

250061山东省济南市历下区经十路73号

IPC主分类号：

C22C104

IPC分类号：

B22F924

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司

代理人：

王绪银

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-22	授权	授权
2013-01-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101385917912 IPC(主分类):C22C 1/04 专利号:ZL2007101148383 申请日:20071129 授权公告日:20090422 终止日期:20111129
2008-04-30	公开	公开
2008-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一维CdS/TiO2复合半导体光催化纳米材料及其制备方法 [P].

占金华 ;

王乐 .

中国专利 :CN100560203C ,2008-07-02

[2]

一种半导体-磁性复合纳米线的制备方法 [P].

齐海港 .

中国专利 :CN105562703A ,2016-05-11

[3]

一种制备CdS一维半导体纳米材料的方法 [P].

王文龙 ;

翟锦 ;

白凤莲 .

中国专利 :CN1396118A ,2003-02-12

[4]

磁性复合纳米材料及其制备方法和应用 [P].

吴爱国 ;

马园园 ;

陈天翔 ;

杨方 .

中国专利 :CN109529060A ,2019-03-29

[5]

片状CdS/BiOCl复合纳米材料及其制备方法 [P].

胡寒梅 ;

陈建利 .

中国专利 :CN106000431A ,2016-10-12

[6]

一种磁性复合纳米材料及其制备方法和应用 [P].

汪浩 ;

虢清伟 ;

龚天尧 ;

卓琼芳 ;

赵晓丽 ;

韩雪娇 .

中国专利 :CN109317108A ,2019-02-12

[7]

一种半导体复合纳米材料及其制备方法和用途 [P].

唐智勇 ;

杨学康 .

中国专利 :CN117384638B ,2025-09-02

[8]

一种半导体复合纳米材料及其制备方法和用途 [P].

唐智勇 ;

杨学康 .

中国专利 :CN117384638A ,2024-01-12

[9]

银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料及其制备方法 [P].

杜玲 ;

茅惠兵 ;

王基庆 .

中国专利 :CN103805200A ,2014-05-21

[10]

一维有机半导体纳米材料及其制备方法和应用 [P].

张义斌 ;

刘晓玲 ;

胡艳勇 .

中国专利 :CN108586456B ,2018-09-28

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