介电层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02132362.3

申请日：

2002-09-24

公开(公告)号：

CN1249791C

公开(公告)日：

2004-03-31

发明(设计)人：

巫勇贤李政哲

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园

IPC主分类号：

H01L21314

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-05	授权	授权
2004-03-31	公开	公开

共 50 条

[1]

介电层的制造方法 [P].

赖东明 ;

高明宽 ;

杜建男 ;

林东生 ;

赖忠庆 .

中国专利 :CN1459832A ,2003-12-03

[2]

制作栅极介电层的方法 [P].

骆统 ;

林经祥 ;

黄耀林 .

中国专利 :CN1157770C ,2003-03-05

[3]

超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法 [P].

陈启群 ;

李资良 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1195317C ,2003-12-31

[4]

闸栅极介电层的制造方法 [P].

李威养 ;

于雄飞 ;

陈建豪 ;

侯承浩 ;

李达元 ;

许光源 .

中国专利 :CN102222611A ,2011-10-19

[5]

含碳介电层的制造方法 [P].

李连忠 ;

卢永诚 ;

柯忠祁 .

中国专利 :CN1437226A ,2003-08-20

[6]

层间介电层平坦化制造方法 [P].

罗吉进 ;

李弘名 .

中国专利 :CN1239318A ,1999-12-22

[7]

形成栅介电层的方法 [P].

王俞仁 ;

颜英伟 ;

郑力源 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN100369209C ,2006-08-30

[8]

高介电层金属栅的制造方法 [P].

韩秋华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN103137458B ,2013-06-05

[9]

一种改善介电层孔隙的方法 [P].

胡蕃廷 ;

陈颖儒 ;

刘立尧 ;

胡展源 .

中国专利 :CN111599761A ,2020-08-28

[10]

形成介电层的方法 [P].

姚俊敏 .

中国专利 :CN1464538A ,2003-12-31

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