形成栅介电层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510008282.0

申请日：

2005-02-21

公开(公告)号：

CN100369209C

公开(公告)日：

2006-08-30

发明(设计)人：

王俞仁颜英伟郑力源黄国泰

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21441

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-13	授权	授权
2006-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-30	公开	公开

共 50 条

[1]

栅介电层的制造方法 [P].

黄同隽 ;

蔡世鸿 ;

冯立伟 ;

郑志祥 .

中国专利 :CN107305842A ,2017-10-31

[2]

形成栅极介电层的方法 [P].

尹哲镇 .

中国专利 :CN100477167C ,2007-06-20

[3]

栅介质层的形成方法 [P].

陈旺 ;

何永根 ;

刘云珍 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101393861A ,2009-03-25

[4]

形成电容器的方法及形成电容器介电层的方法 [P].

D·M·埃皮希 ;

K·L·比曼 .

中国专利 :CN100380611C ,2005-11-23

[5]

高介电层金属栅的制造方法 [P].

韩秋华 ;

张世谋 .

中国专利 :CN103137458B ,2013-06-05

[6]

介电层的制造方法 [P].

巫勇贤 ;

李政哲 .

中国专利 :CN1249791C ,2004-03-31

[7]

高K栅介电层的形成方法及半导体器件 [P].

库尔班·阿吾提 .

中国专利 :CN105304476A ,2016-02-03

[8]

SiC基器件的栅介质层结构及栅介质层的形成方法 [P].

姚金才 ;

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN106158601A ,2016-11-23

[9]

形成含纳米丛集介电层的方法及包括上述介电层的装置 [P].

贾奈许·B·P·寇朱普瑞克 ;

温·贝斯林 ;

乔罕·H·克鲁托克 ;

罗伯图斯·A·M·沃尔特 ;

弗莱迪·卢兹本 .

中国专利 :CN102037547B ,2011-04-27

[10]

栅极介电层及其形成方法 [P].

郑博伦 ;

程立伟 .

中国专利 :CN1855374A ,2006-11-01

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