SiC基器件的栅介质层结构及栅介质层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510135975.X

申请日：

2015-03-26

公开(公告)号：

CN106158601A

公开(公告)日：

2016-11-23

发明(设计)人：

姚金才朱超群陈宇

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

H01L2951

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702564517 IPC(主分类):H01L 21/04 专利申请号:201510135975X 申请日:20150326
2016-11-23	公开	公开
2020-05-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/04 申请公布日:20161123

共 50 条

[1]

栅介质层的形成方法 [P].

陈旺 ;

何永根 ;

刘云珍 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101393861A ,2009-03-25

[2]

栅介质层的形成方法 [P].

孙浩 .

中国专利 :CN109003879A ,2018-12-14

[3]

SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法 [P].

程新红 ;

王谦 ;

郑理 ;

沈玲燕 ;

张栋梁 ;

顾子悦 ;

钱茹 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN107527803A ,2017-12-29

[4]

栅介质层的形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN115312392A ,2022-11-08

[5]

栅介质层的形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN115312392B ,2025-06-10

[6]

栅介质层的形成方法和半导体器件 [P].

尤楠楠 ;

王盛凯 ;

王嘉义 ;

徐杨 .

中国专利 :CN117936373A ,2024-04-26

[7]

CMOS器件中栅介质层界面态缺陷修复的方法及栅介质层 [P].

姜兰 ;

沈耀庭 ;

彭海豹 ;

归琰 .

中国专利 :CN110634803B ,2019-12-31

[8]

制备栅介质层的方法及半导体器件结构 [P].

乔磊 ;

王孝进 ;

聂广宇 ;

胡胜 .

中国专利 :CN105280487A ,2016-01-27

[9]

栅介质层的制作方法 [P].

张红伟 .

中国专利 :CN103903986A ,2014-07-02

[10]

栅介质层的形成方法、半导体结构及其形成方法 [P].

赵永敏 ;

汪军 ;

陈永强 .

中国专利 :CN111769043B ,2020-10-13

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