栅介质层的形成方法

被引：0

申请号：

CN202210901183.9

申请日：

2022-07-28

公开(公告)号：

CN115312392A

公开(公告)日：

2022-11-08

发明(设计)人：

颜树范

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

黎伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20220728
2022-11-08	公开	公开

共 50 条

[1]

栅介质层的形成方法 [P].

陈旺 ;

何永根 ;

刘云珍 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101393861A ,2009-03-25

[2]

栅介质层的形成方法 [P].

孙浩 .

中国专利 :CN109003879A ,2018-12-14

[3]

栅介质层的形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN115312392B ,2025-06-10

[4]

SiC基器件的栅介质层结构及栅介质层的形成方法 [P].

姚金才 ;

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN106158601A ,2016-11-23

[5]

栅介质层的形成方法、半导体结构及其形成方法 [P].

赵永敏 ;

汪军 ;

陈永强 .

中国专利 :CN111769043B ,2020-10-13

[6]

栅介质层的形成方法和MOS晶体管的形成方法 [P].

刘海龙 .

中国专利 :CN104900502A ,2015-09-09

[7]

栅介质层的形成方法和半导体器件 [P].

尤楠楠 ;

王盛凯 ;

王嘉义 ;

徐杨 .

中国专利 :CN117936373A ,2024-04-26

[8]

栅介质层测试控片及其形成方法 [P].

黄柏喻 ;

陆肇勇 ;

陆文怡 ;

战玉讯 ;

丁敬秀 ;

聂广宇 .

中国专利 :CN101303991A ,2008-11-12

[9]

栅介质层及MOS晶体管的形成方法 [P].

何永根 ;

禹国宾 ;

吴兵 .

中国专利 :CN103165431A ,2013-06-19

[10]

形成FinFET栅介质层的方法和形成FinFET的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103515213B ,2014-01-15

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