栅介质层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710046310.7

申请日：

2007-09-20

公开(公告)号：

CN101393861A

公开(公告)日：

2009-03-25

发明(设计)人：

陈旺何永根刘云珍郭佳衢

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2131 H01L213105 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-25	公开	公开
2009-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101274723795 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2007100463107 公开日:20090325

共 50 条

[1]

SiC基器件的栅介质层结构及栅介质层的形成方法 [P].

姚金才 ;

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN106158601A ,2016-11-23

[2]

栅介质层的形成方法 [P].

孙浩 .

中国专利 :CN109003879A ,2018-12-14

[3]

栅介质层的形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN115312392A ,2022-11-08

[4]

栅介质层的形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN115312392B ,2025-06-10

[5]

栅介质层的形成方法和半导体器件 [P].

尤楠楠 ;

王盛凯 ;

王嘉义 ;

徐杨 .

中国专利 :CN117936373A ,2024-04-26

[6]

栅氧化层的形成方法 [P].

赵旭东 ;

余晴 ;

唐怡 .

中国专利 :CN113223947A ,2021-08-06

[7]

栅介质层的形成方法、半导体结构及其形成方法 [P].

赵永敏 ;

汪军 ;

陈永强 .

中国专利 :CN111769043B ,2020-10-13

[8]

形成栅介电层的方法 [P].

王俞仁 ;

颜英伟 ;

郑力源 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN100369209C ,2006-08-30

[9]

晶体管的形成方法、高K栅介质层的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103928307B ,2014-07-16

[10]

栅介质层的形成方法和MOS晶体管的形成方法 [P].

刘海龙 .

中国专利 :CN104900502A ,2015-09-09

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