中空微粒子型氧化钽和/或氧化铌的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580007671.X

申请日：

2005-03-11

公开(公告)号：

CN1946638A

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

菊山裕久胁雅秀桥口慎二青木谦治

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

C01G3500

IPC分类号：

C01G3300

代理机构：

北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司

代理人：

吴小灿;张涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-11	公开	公开
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

氧化钽和/或氧化铌及其制造方法 [P].

菊山裕久 ;

胁雅秀 ;

桥口慎二 ;

青木谦治 .

中国专利 :CN1930087A ,2007-03-14

[2]

氧化亚铜微粒子的制造方法、氧化亚铜微粒子、和导体膜的制造方法 [P].

木下晶弘 ;

上村直仁 .

中国专利 :CN105324337B ,2016-02-10

[3]

氧化钽、氧化铌的生产方法 [P].

高文通 ;

李辉 ;

王海花 ;

徐涛 ;

乐剑峰 ;

曹凯翔 .

中国专利 :CN118479537A ,2024-08-13

[4]

银微粒子、银微粒子的制造方法、和银微粒子的制造装置 [P].

樋上晃裕 ;

宇野贵博 ;

佐藤一祐 .

中国专利 :CN101626856A ,2010-01-13

[5]

一种氧化铌和氧化钽的制备方法 [P].

石波 ;

李石凤 ;

邓朝勇 ;

李超 ;

李斌 ;

梁原 .

中国专利 :CN113800564A ,2021-12-17

[6]

金属微粒子的制造方法 [P].

榎村真一 .

中国专利 :CN102343442A ,2012-02-08

[7]

微粒子及微粒子的制造方法 [P].

渡边周 ;

末安志织 .

日本专利 :CN119095796A ,2024-12-06

[8]

微粒子的制造方法及微粒子 [P].

渡邉周 ;

末安志织 ;

中村圭太郎 .

中国专利 :CN111819018A ,2020-10-23

[9]

微粒子的制造装置及微粒子的制造方法 [P].

渡边周 ;

末安志织 ;

中村圭太郎 .

中国专利 :CN114728338A ,2022-07-08

[10]

微粒子的制造方法、及微粒子的制造装置 [P].

田中康规 ;

儿玉直人 ;

石坂洋辅 ;

渡边周 ;

中村圭太郎 ;

末安志织 .

中国专利 :CN112074343B ,2020-12-11

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