尺寸可控的金属纳米线的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810023672.9

申请日：

2008-04-15

公开(公告)号：

CN101559492A

公开(公告)日：

2009-10-21

发明(设计)人：

许巧玲孟国文吴学邦魏青孔明光张立德

申请人：

申请人地址：

230031安徽省合肥市1110信箱

IPC主分类号：

B22F900

IPC分类号：

C30B2902 C30B2962

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-21	公开	公开
2016-06-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101663508166 IPC(主分类):B22F 9/00 专利号:ZL2008100236729 申请日:20080415 授权公告日:20101229 终止日期:20150415
2010-12-29	授权	授权

共 50 条

[1]

有序硅纳米线的制备方法 [P].

石明吉 ;

陈兰莉 ;

丁淑娟 ;

尹应鹏 ;

于家辉 ;

罗鹏晖 .

中国专利 :CN101871116A ,2010-10-27

[2]

聚吡咯纳米线及其制备方法和用途 [P].

王美玲 ;

孟国文 ;

黄青 ;

刘国冬 .

中国专利 :CN102675877B ,2012-09-19

[3]

银纳米线阵列电极及其制备方法和用途 [P].

孙利 ;

许伟 ;

张立德 ;

黄竹林 ;

袁志刚 ;

张俊喜 ;

刘思思 .

中国专利 :CN102267682A ,2011-12-07

[4]

一种尺寸可控的金属钯纳米线的制备方法 [P].

徐鹏 ;

魏余辉 ;

王新亚 ;

张云云 ;

周星飞 .

中国专利 :CN103252501A ,2013-08-21

[5]

一种制备铟/碲多孔纳米线阵列的方法 [P].

薛方红 ;

汪晓允 ;

黄昊 ;

董星龙 .

中国专利 :CN103628106A ,2014-03-12

[6]

一种直径可控的金属纳米线阵列的制备方法 [P].

于文惠 ;

王达健 .

中国专利 :CN1995468A ,2007-07-11

[7]

金属纳米线导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110310891B ,2019-10-08

[8]

金属纳米线的制备方法 [P].

魏红 ;

高龙 ;

徐红星 .

中国专利 :CN110395687A ,2019-11-01

[9]

金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110364429B ,2019-10-22

[10]

半导体纳米线有序阵列分布的制备方法 [P].

邱凯 ;

周天微 ;

左玉华 .

中国专利 :CN104051576A ,2014-09-17

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