一种制备铟/碲多孔纳米线阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310538989.7

申请日：

2013-11-01

公开(公告)号：

CN103628106A

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

薛方红汪晓允黄昊董星龙

申请人：

申请人地址：

116024 辽宁省大连市凌工路2号

IPC主分类号：

C25D704

IPC分类号：

C25D518 C25C502 B82Y4000

代理机构：

大连理工大学专利中心 21200

代理人：

侯明远

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581309549 IPC(主分类):C25D 7/04 专利申请号:2013105389897 申请日:20131101
2014-03-12	公开	公开
2020-10-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 7/04 申请日:20131101 授权公告日:20160406 终止日期:20191101
2016-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种制备碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线阵列的方法 [P].

薛方红 ;

汪晓允 ;

黄昊 ;

刘璐 ;

董星龙 .

中国专利 :CN103757688A ,2014-04-30

[2]

一种有序金属纳米线阵列的制备方法 [P].

刘敏 ;

梁艳清 ;

陈国柱 .

中国专利 :CN112481660A ,2021-03-12

[3]

金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110364429B ,2019-10-22

[4]

一种多孔硅纳米线阵列的制备方法 [P].

李绍元 ;

耿超 ;

马文会 ;

何祖东 ;

万小涵 ;

雷云 ;

颜恒维 ;

于洁 ;

魏奎先 ;

谢克强 ;

杨斌 ;

戴永年 .

中国专利 :CN108847383A ,2018-11-20

[5]

有序硅纳米线的制备方法 [P].

石明吉 ;

陈兰莉 ;

丁淑娟 ;

尹应鹏 ;

于家辉 ;

罗鹏晖 .

中国专利 :CN101871116A ,2010-10-27

[6]

一种硫化镍纳米线阵列的制备方法 [P].

程亮 ;

田永涛 ;

赵晓峰 ;

贾天世 ;

徐玉睿 ;

王文闯 ;

李新建 .

中国专利 :CN101736377A ,2010-06-16

[7]

一种具有核壳结构的铂镍纳米线有序阵列的制备方法 [P].

汪洪 ;

金峰 ;

李伟 ;

李艳波 .

中国专利 :CN103757680A ,2014-04-30

[8]

半导体纳米线有序阵列分布的制备方法 [P].

邱凯 ;

周天微 ;

左玉华 .

中国专利 :CN104051576A ,2014-09-17

[9]

石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110316726B ,2019-10-11

[10]

一种纳米自旋阀阵列的制备方法 [P].

王会新 ;

李明 ;

王允建 ;

刘振深 .

中国专利 :CN103985502B ,2014-08-13

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