一种硫化镍纳米线阵列的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910227364.2

申请日：

2009-12-08

公开(公告)号：

CN101736377A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

程亮田永涛赵晓峰贾天世徐玉睿王文闯李新建

申请人：

申请人地址：

450052 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

IPC主分类号：

C25D712

IPC分类号：

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

刘建芳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101392924976 IPC(主分类):C25D 7/12 专利号:ZL2009102273642 申请日:20091208 授权公告日:20110504 终止日期:20111208
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005257271 IPC(主分类):C25D 7/12 专利申请号:2009102273642 申请日:20091208
2010-06-16	公开	公开
2011-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

高长径比硫化镍单晶纳米线阵列的制备方法 [P].

杜卫民 ;

张有娟 ;

徐亚利 ;

魏少红 ;

魏成振 .

中国专利 :CN106757367B ,2017-05-31

[2]

一种制备铟/碲多孔纳米线阵列的方法 [P].

薛方红 ;

汪晓允 ;

黄昊 ;

董星龙 .

中国专利 :CN103628106A ,2014-03-12

[3]

氧化铝纳米线阵列的制备方法 [P].

程国安 ;

徐杰 .

中国专利 :CN101481126A ,2009-07-15

[4]

一种镍锌合金纳米线阵列材料的制备方法 [P].

于美 ;

刘建华 ;

孟世明 ;

李松梅 ;

李英东 .

中国专利 :CN101498050B ,2009-08-05

[5]

一种有序硅纳米线阵列的制备方法 [P].

左则文 .

中国专利 :CN103112819A ,2013-05-22

[6]

一种镍-聚吡咯双层纳米线阵列材料的制备方法 [P].

于美 ;

刘建华 ;

孟世明 ;

李松梅 ;

李英东 ;

刘盼 .

中国专利 :CN101928972B ,2010-12-29

[7]

一种尖晶石型钛酸锂纳米线阵列的制备方法 [P].

刘世斌 ;

段东红 ;

陈旭 ;

池永庆 ;

张忠林 ;

郝晓刚 ;

李一兵 .

中国专利 :CN102044662A ,2011-05-04

[8]

一种二氧化铬纳米线阵列的制备方法 [P].

温戈辉 ;

范九明 ;

陈可 ;

徐丹 .

中国专利 :CN118851262A ,2024-10-29

[9]

一种二氧化铬纳米线阵列的制备方法 [P].

温戈辉 ;

范九明 ;

陈可 ;

徐丹 .

中国专利 :CN118851262B ,2025-11-07

[10]

高矩形比磁性一维纳米线阵列的制备方法 [P].

姜海波 ;

李春忠 ;

赵尹 ;

刘秀红 ;

胡彦杰 .

中国专利 :CN101016650A ,2007-08-15

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