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高电子迁移率晶体管（HEMT）器件和方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011015902.4
申请日：
2020-09-24
公开(公告)号：
CN112563327A
公开(公告)日：
2021-03-26
发明(设计)人：
D·G·帕蒂
申请人：
申请人地址：
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L2706
H01L21335
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
董莘
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-26 | 公开 | 公开 |
| 2021-04-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200924 |