高电子迁移率晶体管器件和电子器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202022119175.8
申请日
2020-09-24
公开(公告)号
CN213459743U
公开(公告)日
2021-06-15
发明(设计)人
D·G·帕蒂
申请人
申请人地址
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L2706 H01L21335
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
董莘
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
高电子迁移率晶体管(HEMT)器件和方法 [P]. 
D·G·帕蒂 .
:CN112563327B ,2025-11-14
[2]
高电子迁移率晶体管(HEMT)器件和方法 [P]. 
D·G·帕蒂 .
中国专利 :CN112563327A ,2021-03-26
[3]
高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P]. 
蔡政原 .
中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12
[4]
高电子迁移率晶体管器件 [P]. 
艾曼·谢比卜 ;
凯尔·特里尔 .
中国专利 :CN108155232B ,2018-06-12
[5]
高电子迁移率晶体管器件 [P]. 
陈彦良 ;
大藤彻 ;
谢明达 .
中国专利 :CN209747519U ,2019-12-06
[6]
高电子迁移率晶体管器件 [P]. 
艾曼·谢比卜 ;
凯尔·特里尔 .
中国专利 :CN114582971A ,2022-06-03
[7]
高电子迁移率晶体管HEMT器件 [P]. 
F·尤克拉诺 ;
A·齐尼 .
中国专利 :CN206412367U ,2017-08-15
[8]
高电子迁移率晶体管和集成HEMT器件 [P]. 
潘新昌 ;
徐杨兵 ;
何先良 ;
魏鸿基 .
中国专利 :CN118398659A ,2024-07-26
[9]
高电子迁移率晶体管和集成HEMT器件 [P]. 
陈尧 ;
潘新昌 ;
徐杨兵 ;
李云燕 ;
何先良 ;
魏鸿基 ;
罗宇彦 .
中国专利 :CN120659353A ,2025-09-16
[10]
高电子迁移率晶体管和集成HEMT器件 [P]. 
徐杨兵 ;
潘新昌 ;
何先良 ;
魏鸿基 .
中国专利 :CN118472027B ,2024-11-08