一种量子点增强的柔性低功耗神经突触器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210692659.2

申请日：

2022-06-17

公开(公告)号：

CN115020586A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

王天宇孟佳琳陈琳孙清清张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

H01L5130 H01L5140 G06N306

代理机构：

北京得信知识产权代理有限公司 11511

代理人：

孟海娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/05 申请日:20220617
2022-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种光电双调制的有机柔性神经突触器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

李庆轩 ;

王天宇 ;

孟佳琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115101669A ,2022-09-23

[2]

一种神经突触器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

房雨晴 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN117693285A ,2024-03-12

[3]

一种低功耗神经突触薄膜晶体管及其制备方法 [P].

丁士进 ;

李凌凯 ;

邵龑 ;

吴小晗 .

中国专利 :CN110416312A ,2019-11-05

[4]

一种可模拟神经突触的聚合物/量子点薄膜忆阻器及其制备方法 [P].

李岚 ;

许江华 ;

徐建萍 ;

石少波 ;

杨鹏城 ;

刘丁 ;

王斌 .

中国专利 :CN111477740A ,2020-07-31

[5]

一种低功耗柔性透明电子突触器件及其制备方法 [P].

赖云锋 ;

廖成浩 ;

陈凡 ;

林培杰 ;

程树英 .

中国专利 :CN107123735A ,2017-09-01

[6]

一种仿神经突触器件及其制备方法 [P].

文世峰 ;

蒋承剑 ;

周燕 ;

陈道兵 ;

史玉升 ;

耿鹏 ;

陈柯宇 ;

刘洋 .

中国专利 :CN112563417A ,2021-03-26

[7]

一种极化增强的铁电神经突触器件及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

李庆轩 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115207125B ,2025-12-16

[8]

人工神经突触器件及其制备方法 [P].

刘琦 ;

吴祖恒 ;

时拓 ;

刘明 ;

吕杭炳 ;

张续猛 .

中国专利 :CN110600610A ,2019-12-20

[9]

一种多功能的硅基光电神经突触器件及其制备方法 [P].

皮孝东 ;

黄世杰 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN115020589A ,2022-09-06

[10]

一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

何振宇 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115084377A ,2022-09-20

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