半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310328701.3

申请日：

2013-07-31

公开(公告)号：

CN103594574A

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

黄钟日斋藤真司桥本玲布上真也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01S5343

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

杨晓光;于静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580339696 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2013103287013 申请日:20130731
2017-04-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750178411 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2013103287013 申请公布日:20140219
2014-02-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

李洁 ;

姚强 .

中国专利 :CN213716926U ,2021-07-16

[2]

半导体发光器件 [P].

林祐湜 .

中国专利 :CN102047453A ,2011-05-04

[3]

氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

麦华路巴武吕 ;

伊藤茂稔 .

中国专利 :CN102144342A ,2011-08-03

[4]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[5]

半导体发光器件 [P].

沈炫旭 ;

李东柱 ;

金晟泰 .

中国专利 :CN102456797A ,2012-05-16

[6]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN100416876C ,2007-01-31

[7]

半导体发光器件 [P].

吴琼 .

中国专利 :CN108123017A ,2018-06-05

[8]

半导体发光器件 [P].

藤金正树 ;

井上彰 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN102456821A ,2012-05-16

[9]

半导体发光器件 [P].

孙孝根 .

中国专利 :CN103050590B ,2013-04-17

[10]

半导体发光器件 [P].

藤金正树 ;

井上彰 ;

横川俊哉 .

中国专利 :CN202405309U ,2012-08-29

← 1 2 3 4 5 →