半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310022156.5

申请日：

2008-09-05

公开(公告)号：

CN103050590B

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

孙孝根

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;董文国

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/02 登记生效日:20210816 变更事项:专利权人变更前权利人:LG伊诺特有限公司变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
2016-06-29	授权	授权
2013-04-17	公开	公开
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457133628 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2013100221565 申请日:20080905

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

沈炫旭 ;

李东柱 ;

金晟泰 .

中国专利 :CN102456797A ,2012-05-16

[2]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[3]

半导体发光器件 [P].

李洁 ;

姚强 .

中国专利 :CN213716926U ,2021-07-16

[4]

半导体发光器件 [P].

林祐湜 .

中国专利 :CN102047453A ,2011-05-04

[5]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN100416876C ,2007-01-31

[6]

半导体发光器件 [P].

黄钟日 ;

斋藤真司 ;

桥本玲 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103594574A ,2014-02-19

[7]

氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

麦华路巴武吕 ;

伊藤茂稔 .

中国专利 :CN102144342A ,2011-08-03

[8]

外延片及半导体发光器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216450669U ,2022-05-06

[9]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[10]

半导体发光器件 [P].

李尚烈 .

中国专利 :CN102017195A ,2011-04-13

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