用于形成绝缘体上半导体衬底的方法

被引：0

申请号：

CN202210221859.X

申请日：

2022-03-09

公开(公告)号：

CN115565932A

公开(公告)日：

2023-01-03

发明(设计)人：

郑有宏李静宜蔡嘉雄

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

李春秀

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-03	公开	公开
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20220309

共 50 条

[1]

形成绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

陈祈铭 ;

陈逸群 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN115497868A ,2022-12-20

[2]

用于形成绝缘体上半导体（SOI）衬底的方法 [P].

吴政达 ;

蔡嘉雄 ;

卢玠甫 ;

刘冠良 ;

周世培 ;

郑有宏 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN110875241A ,2020-03-10

[3]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

中国专利 :CN113597668A ,2021-11-02

[4]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

法国专利 :CN113597668B ,2024-09-13

[5]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108A ,2021-08-03

[6]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108B ,2025-01-10

[7]

用于RF应用的绝缘体上半导体衬底 [P].

阿诺德·卡斯泰 ;

O·科农丘克 .

中国专利 :CN109075120A ,2018-12-21

[8]

用于射频应用的绝缘体上半导体衬底 [P].

K·扬·皮尔 ;

克里斯泰勒·维蒂佐 .

法国专利 :CN113196461B ,2024-11-05

[9]

用于射频应用的绝缘体上半导体衬底 [P].

K·扬·皮尔 ;

克里斯泰勒·维蒂佐 .

中国专利 :CN113196461A ,2021-07-30

[10]

用于形成薄绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法 [P].

吴政达 ;

蔡嘉雄 ;

卢玠甫 ;

曾国华 ;

周世培 ;

郑有宏 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN110828367B ,2020-02-21

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