用于形成薄绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910382802.6

申请日：

2019-05-09

公开(公告)号：

CN110828367B

公开(公告)日：

2020-02-21

发明(设计)人：

吴政达蔡嘉雄卢玠甫曾国华周世培郑有宏杜友伦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-21	公开	公开
2020-03-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20190509
2022-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

用于形成薄的绝缘体上半导体SOI衬底的方法 [P].

周世培 ;

徐鸿文 ;

卢玠甫 ;

郑有宏 ;

林永隆 ;

蔡敏瑛 .

中国专利 :CN110400774A ,2019-11-01

[2]

用于形成绝缘体上半导体（SOI）衬底的方法 [P].

吴政达 ;

蔡嘉雄 ;

卢玠甫 ;

刘冠良 ;

周世培 ;

郑有宏 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN110875241A ,2020-03-10

[3]

用于形成绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

郑有宏 ;

李静宜 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN115565932A ,2023-01-03

[4]

形成绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

陈祈铭 ;

陈逸群 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN115497868A ,2022-12-20

[5]

用于RF应用的绝缘体上半导体衬底 [P].

阿诺德·卡斯泰 ;

O·科农丘克 .

中国专利 :CN109075120A ,2018-12-21

[6]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

中国专利 :CN113597668A ,2021-11-02

[7]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

法国专利 :CN113597668B ,2024-09-13

[8]

制造绝缘体上半导体型衬底的方法 [P].

C·马勒维尔 .

中国专利 :CN101933132A ,2010-12-29

[9]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108A ,2021-08-03

[10]

绝缘体上半导体（SOI）衬底及其形成方法、集成电路 [P].

吴政达 ;

谢佳达 ;

巫国维 ;

张煜群 ;

曾映绫 .

中国专利 :CN112582429A ,2021-03-30

← 1 2 3 4 5 →