一种非晶氧化物薄膜器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910516845.9

申请日：

2019-06-14

公开(公告)号：

CN110190134B

公开(公告)日：

2019-08-30

发明(设计)人：

刘潮锋唐新桂

申请人：

申请人地址：

510060 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L21329

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张春水;唐京桥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/861 申请日:20190614
2022-06-24	授权	授权
2019-08-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

张杰 ;

吕建国 ;

李喜峰 ;

吴萍 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN102226265A ,2011-10-26

[2]

一种钙钛矿氧化物薄膜器件及其制备方法和应用 [P].

王伦权 ;

李文华 ;

唐新桂 .

中国专利 :CN110416409A ,2019-11-05

[3]

一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

吕建国 ;

孙汝杰 ;

江庆军 ;

闫伟超 ;

冯丽莎 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN104078513A ,2014-10-01

[4]

一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

宁洪龙 ;

刘贤哲 ;

姚日晖 ;

李晓庆 ;

张啸尘 ;

徐苗 ;

王磊 ;

彭俊彪 ;

王晓峰 ;

张紫辰 .

中国专利 :CN107170833A ,2017-09-15

[5]

一种柔性全透明非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

岳兰 ;

孟繁新 ;

任达森 .

中国专利 :CN105870173A ,2016-08-17

[6]

一种p型CrMCuO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

岳士录 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711201B ,2017-05-24

[7]

一种p型ZnMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

程晓涵 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711195B ,2017-05-24

[8]

一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法 [P].

宁洪龙 ;

刘贤哲 ;

姚日晖 ;

胡诗犇 ;

张啸尘 ;

李晓庆 ;

张建东 ;

徐苗 ;

王磊 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN107749423A ,2018-03-02

[9]

一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

程晓涵 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711193B ,2017-05-24

[10]

一种p型CuMInO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

孟璐 .

中国专利 :CN106711198A ,2017-05-24

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