一种非晶氧化物薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110163539.5

申请日：

2011-06-17

公开(公告)号：

CN102226265A

公开(公告)日：

2011-10-26

发明(设计)人：

叶志镇张杰吕建国李喜峰吴萍赵炳辉

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1434 C23C1428

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

韩介梅

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101572408938 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2011101635395 申请公布日:20111026
2011-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101149910419 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2011101635395 申请日:20110617
2011-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

吴传佳 ;

叶志镇 ;

张杰 ;

吴萍 ;

陈凌翔 ;

江庆军 ;

孙汝杰 .

中国专利 :CN103219393A ,2013-07-24

[2]

用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

江庆军 ;

孙汝杰 ;

闫伟超 ;

杨振辉 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN104022159B ,2014-09-03

[3]

一种p型CuNiSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

程晓涵 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711197A ,2017-05-24

[4]

一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

吕建国 ;

孙汝杰 ;

江庆军 ;

闫伟超 ;

冯丽莎 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN104078513A ,2014-10-01

[5]

一种p型CaMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

程晓涵 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711193B ,2017-05-24

[6]

一种p型CuMInO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

孟璐 .

中国专利 :CN106711198A ,2017-05-24

[7]

一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

孟璐 .

中国专利 :CN106711200B ,2017-05-24

[8]

一种p型ZnAlSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

吕容恺 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711202A ,2017-05-24

[9]

一种p型NiMSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

于根源 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106702326A ,2017-05-24

[10]

一种p型ZnGeSnO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

岳士录 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN106711196A ,2017-05-24

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