用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310131213.3

申请日：

2013-04-16

公开(公告)号：

CN103219393A

公开(公告)日：

2013-07-24

发明(设计)人：

吕建国吴传佳叶志镇张杰吴萍陈凌翔江庆军孙汝杰

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

C23C1408 C23C1434

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

韩介梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	公开	公开
2013-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101509128113 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2013101312133 申请日:20130416
2016-05-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101732268338 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2013101312133 申请公布日:20130724

共 50 条

[1]

用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

江庆军 ;

孙汝杰 ;

闫伟超 ;

杨振辉 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN104022159B ,2014-09-03

[2]

一种非晶氧化物薄膜晶体管沟道层及其制备方法 [P].

吕建国 ;

江庆军 ;

孙汝杰 ;

冯丽莎 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN104091833A ,2014-10-08

[3]

氧化物薄膜的制备方法及其薄膜晶体管 [P].

兰林锋 ;

高沛雄 ;

王磊 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN105551955A ,2016-05-04

[4]

一种非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

张杰 ;

吕建国 ;

李喜峰 ;

吴萍 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN102226265A ,2011-10-26

[5]

氧化物薄膜晶体管 [P].

赵坤 ;

黄杰 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

贺家煜 ;

姚念琦 ;

李菲菲 ;

雷利平 .

中国专利 :CN113972285A ,2022-01-25

[6]

一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管 [P].

宁洪龙 ;

卢宽宽 ;

彭俊彪 ;

姚日晖 ;

胡诗犇 ;

魏靖林 ;

邓宇熹 ;

邓培淼 ;

周尚雄 ;

袁炜健 .

中国专利 :CN108288643A ,2018-07-17

[7]

非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管 [P].

梅田贤一 ;

田中淳 ;

铃木真之 ;

下田达也 .

中国专利 :CN103608906B ,2014-02-26

[8]

氧化物薄膜晶体管结构及制作氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

张民杰 .

中国专利 :CN103915507A ,2014-07-09

[9]

氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

谢应涛 .

中国专利 :CN106298956A ,2017-01-04

[10]

一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管 [P].

吕建国 ;

陆波静 .

中国专利 :CN108987465A ,2018-12-11

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