非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280029028.7

申请日：

2012-06-08

公开(公告)号：

CN103608906B

公开(公告)日：

2014-02-26

发明(设计)人：

梅田贤一田中淳铃木真之下田达也

申请人：

申请人地址：

日本东京港区西麻布二丁目26番30号

IPC主分类号：

H01L21368

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786 H01L5150

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	授权	授权
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581572354 IPC(主分类):H01L 21/368 专利申请号:2012800290287 申请日:20120608
2014-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物薄膜晶体管结构及制作氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

张民杰 .

中国专利 :CN103915507A ,2014-07-09

[2]

氧化物薄膜晶体管的制造方法 [P].

施俊斐 ;

董承远 .

中国专利 :CN103400765A ,2013-11-20

[3]

氧化物薄膜晶体管的制造方法 [P].

刘萍 .

中国专利 :CN103050412B ,2013-04-17

[4]

制造氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

朴相武 ;

金峰澈 ;

河灿起 ;

权真佑 ;

李炯兆 .

中国专利 :CN103855030A ,2014-06-11

[5]

氧化物薄膜晶体管的制造方法 [P].

金大元 ;

裵钟旭 .

中国专利 :CN101908489A ,2010-12-08

[6]

氧化物薄膜晶体管 [P].

赵坤 ;

黄杰 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

贺家煜 ;

姚念琦 ;

李菲菲 ;

雷利平 .

中国专利 :CN113972285A ,2022-01-25

[7]

氧化物薄膜晶体管结构的制作方法及氧化物薄膜晶体管结构 [P].

胡宇彤 ;

曾志远 ;

苏智昱 ;

李文辉 ;

吕晓文 ;

石龙强 ;

张合静 .

中国专利 :CN104037090A ,2014-09-10

[8]

氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P].

杨熙正 ;

扈源俊 ;

金娥罗 .

中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03

[9]

晶体氧化物薄膜、层叠体及薄膜晶体管 [P].

川岛绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 ;

山口幸士 ;

岩瀬信博 .

日本专利 :CN118103994A ,2024-05-28

[10]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

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