氧化物薄膜晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910266314.5

申请日：

2009-12-24

公开(公告)号：

CN101908489A

公开(公告)日：

2010-12-08

发明(设计)人：

金大元裵钟旭

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2134

IPC分类号：

H01L21363 H01L21473

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

李辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	授权	授权
2011-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101032289271 IPC(主分类):H01L 21/34 专利申请号:2009102663145 申请日:20091224
2010-12-08	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物薄膜晶体管的制造方法 [P].

刘萍 .

中国专利 :CN103050412B ,2013-04-17

[2]

制造氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

朴相武 ;

金峰澈 ;

河灿起 ;

权真佑 ;

李炯兆 .

中国专利 :CN103855030A ,2014-06-11

[3]

氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P].

杨熙正 ;

扈源俊 ;

金娥罗 .

中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03

[4]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

裵钟旭 .

中国专利 :CN104157693A ,2014-11-19

[5]

氧化物薄膜晶体管器件及其制造方法 [P].

余明爵 .

中国专利 :CN110112074A ,2019-08-09

[6]

氧化物薄膜晶体管结构的制作方法及氧化物薄膜晶体管结构 [P].

胡宇彤 ;

曾志远 ;

苏智昱 ;

李文辉 ;

吕晓文 ;

石龙强 ;

张合静 .

中国专利 :CN104037090A ,2014-09-10

[7]

氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

谢应涛 .

中国专利 :CN106298956A ,2017-01-04

[8]

氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法 [P].

姜东勋 ;

宋利宪 ;

朴永洙 ;

金昌桢 ;

李银河 ;

李在喆 .

中国专利 :CN101339954A ,2009-01-07

[9]

氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

姚琪 ;

张锋 ;

曹占锋 ;

何晓龙 ;

张斌 ;

李正亮 .

中国专利 :CN105140131A ,2015-12-09

[10]

一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管 [P].

李风浪 ;

李舒歆 .

中国专利 :CN106384748A ,2017-02-08

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