一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810668999.5

申请日：

2018-06-26

公开(公告)号：

CN108987465A

公开(公告)日：

2018-12-11

发明(设计)人：

吕建国陆波静

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L29786 H01L2102

代理机构：

杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231

代理人：

梁群兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-11	公开	公开
2019-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/24 申请日:20180626
2021-01-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/24 申请公布日:20181211

共 50 条

[1]

一种I-V族共掺杂非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管 [P].

吕建国 ;

陆波静 .

中国专利 :CN108987468A ,2018-12-11

[2]

一种多元非晶氧化物半导体薄膜及其薄膜晶体管 [P].

吕建国 ;

陆波静 .

中国专利 :CN108987467A ,2018-12-11

[3]

非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管 [P].

薮田久人 ;

远藤文德 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN101669208A ,2010-03-10

[4]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[5]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[6]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[7]

非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管 [P].

林享 ;

大村秀之 ;

云见日出也 ;

重里有三 .

中国专利 :CN103077961A ,2013-05-01

[8]

非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管 [P].

林享 ;

大村秀之 ;

云见日出也 ;

重里有三 .

中国专利 :CN101661952A ,2010-03-03

[9]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

塔利斯·扬·张 ;

约翰·贤哲·洪 .

中国专利 :CN103959477A ,2014-07-30

[10]

非晶氧化物半导体薄膜晶体管制造方法 [P].

金天弘 ;

约翰·贤哲·洪 ;

潘耀玲 .

中国专利 :CN103503149A ,2014-01-08

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