一种削减光罩层数的半导体功率器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910376363.8
申请日
2019-05-07
公开(公告)号
CN110047934A
公开(公告)日
2019-07-23
发明(设计)人
丁磊 侯宏伟
申请人
申请人地址
215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
南京天华专利代理有限责任公司 32218
代理人
夏平
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种削减光罩层数的半导体功率器件 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN209626228U ,2019-11-12
[2]
一种半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN110047831A ,2019-07-23
[3]
一种半导体功率器件 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN209626219U ,2019-11-12
[4]
一种低功耗半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
丁磊 ;
顾挺 .
中国专利 :CN114242784A ,2022-03-25
[5]
一种半导体功率器件的制备方法 [P]. 
张雨 ;
刘厚超 ;
俱帅 ;
马一洁 ;
苏亚兵 .
中国专利 :CN120201766A ,2025-06-24
[6]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
郑忠庆 .
中国专利 :CN109427885A ,2019-03-05
[7]
一种半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
阳平 .
中国专利 :CN110349907A ,2019-10-18
[8]
一种氮化镓半导体功率器件的制备方法 [P]. 
邓华鲜 .
中国专利 :CN117219512B ,2024-03-19
[9]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
代萌 .
中国专利 :CN114038915A ,2022-02-11
[10]
一种低功耗半导体功率器件 [P]. 
丁磊 ;
顾挺 .
中国专利 :CN216648319U ,2022-05-31