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一种削减光罩层数的半导体功率器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910376363.8
申请日
:
2019-05-07
公开(公告)号
:
CN110047934A
公开(公告)日
:
2019-07-23
发明(设计)人
:
丁磊
侯宏伟
申请人
:
申请人地址
:
215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇港口工业园华泰路1号凯思半导体
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L21336
代理机构
:
南京天华专利代理有限责任公司 32218
代理人
:
夏平
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-07-23
公开
公开
2019-08-16
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190507
共 50 条
[1]
一种削减光罩层数的半导体功率器件
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁磊
;
侯宏伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
侯宏伟
.
中国专利
:CN209626228U
,2019-11-12
[2]
一种半导体功率器件及其制备方法
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁磊
;
侯宏伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
侯宏伟
.
中国专利
:CN110047831A
,2019-07-23
[3]
一种半导体功率器件
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁磊
;
侯宏伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
侯宏伟
.
中国专利
:CN209626219U
,2019-11-12
[4]
一种低功耗半导体功率器件及其制备方法
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁磊
;
顾挺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
顾挺
.
中国专利
:CN114242784A
,2022-03-25
[5]
一种半导体功率器件的制备方法
[P].
张雨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海维安半导体有限公司
上海维安半导体有限公司
张雨
;
刘厚超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海维安半导体有限公司
上海维安半导体有限公司
刘厚超
;
俱帅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海维安半导体有限公司
上海维安半导体有限公司
俱帅
;
马一洁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海维安半导体有限公司
上海维安半导体有限公司
马一洁
;
苏亚兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海维安半导体有限公司
上海维安半导体有限公司
苏亚兵
.
中国专利
:CN120201766A
,2025-06-24
[6]
半导体功率器件及其制备方法
[P].
郑忠庆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑忠庆
.
中国专利
:CN109427885A
,2019-03-05
[7]
一种半导体功率器件及其制备方法
[P].
阳平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
阳平
.
中国专利
:CN110349907A
,2019-10-18
[8]
一种氮化镓半导体功率器件的制备方法
[P].
邓华鲜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
乐山希尔电子股份有限公司
乐山希尔电子股份有限公司
邓华鲜
.
中国专利
:CN117219512B
,2024-03-19
[9]
半导体功率器件及其制备方法
[P].
代萌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
代萌
.
中国专利
:CN114038915A
,2022-02-11
[10]
一种低功耗半导体功率器件
[P].
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁磊
;
顾挺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
顾挺
.
中国专利
:CN216648319U
,2022-05-31
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