扩散的尖端延伸晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380081241.7

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN106104771A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

P·帕特尔 M·Y·刘 J·A·维德梅尔 P·A·帕坎

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈松涛;王英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	公开	公开
2020-05-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20161109
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695212823 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013800812417 申请日:20131227

共 50 条

[1]

扩散的尖端延伸晶体管 [P].

P·帕特尔 ;

M·Y·刘 ;

J·A·维德梅尔 ;

P·A·帕坎 .

中国专利 :CN110610866A ,2019-12-24

[2]

漏极延伸晶体管 [P].

M-C·李 ;

S·金 ;

S·斯瑞达 ;

S·彭哈卡 .

中国专利 :CN114639675A ,2022-06-17

[3]

高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法 [P].

S·E·西利士 ;

K·D·普拉尔 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

R·甘地 .

中国专利 :CN112913027A ,2021-06-04

[4]

高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法 [P].

S·E·西利士 ;

K·D·普拉尔 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

R·甘地 .

美国专利 :CN112913027B ,2024-01-26

[5]

外延延伸部CMOS晶体管 [P].

裴成文 ;

王耕 ;

张艳丽 .

中国专利 :CN103718301B ,2014-04-09

[6]

具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置 [P].

A.芬尼 ;

C.M.博扬恰努 .

中国专利 :CN111739886A ,2020-10-02

[7]

晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列及形成晶体管阵列的方法 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 .

美国专利 :CN112106196B ,2025-03-25

[8]

晶体管、晶体管阵列、个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列及形成晶体管阵列的方法 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN112106196A ,2020-12-18

[9]

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

马可·范·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

马礼修 .

中国专利 :CN218004873U ,2022-12-09

[10]

李承俊 ;

金相植 ;

林俊亨 ;

赵庚娥 ;

孔熙盛 .

韩国专利 :CN117374126A ,2024-01-09

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