高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980070109.3

申请日：

2019-10-03

公开(公告)号：

CN112913027A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

S·E·西利士 K·D·普拉尔 D·V·N·拉马斯瓦米 R·甘地

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2724

IPC分类号：

H01L27082 H01L2706

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

彭晓文

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	公开	公开
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20191003

共 50 条

[1]

高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法 [P].

S·E·西利士 ;

K·D·普拉尔 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

R·甘地 .

美国专利 :CN112913027B ,2024-01-26

[2]

扩散的尖端延伸晶体管 [P].

P·帕特尔 ;

M·Y·刘 ;

J·A·维德梅尔 ;

P·A·帕坎 .

中国专利 :CN110610866A ,2019-12-24

[3]

扩散的尖端延伸晶体管 [P].

P·帕特尔 ;

M·Y·刘 ;

J·A·维德梅尔 ;

P·A·帕坎 .

中国专利 :CN106104771A ,2016-11-09

[4]

用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法 [P].

J·D·格林利 ;

E·A·麦克蒂尔 ;

J·M·梅尔德里姆 .

中国专利 :CN111095557A ,2020-05-01

[5]

晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置 [P].

田中荣 .

日本专利 :CN110957372B ,2025-08-26

[6]

具有带有凸起延伸区域的晶体管的设备和形成此类晶体管的方法 [P].

刘海涛 .

中国专利 :CN112133702A ,2020-12-25

[7]

晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置 [P].

田中荣 .

中国专利 :CN110957372A ,2020-04-03

[8]

漏极延伸晶体管 [P].

M-C·李 ;

S·金 ;

S·斯瑞达 ;

S·彭哈卡 .

中国专利 :CN114639675A ,2022-06-17

[9]

晶体管和形成晶体管的方法 [P].

M·纳哈尔 ;

M·米奇 .

中国专利 :CN114175276A ,2022-03-11

[10]

具有分段延伸区的晶体管 [P].

亨利·奥尔德里奇 ;

约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 ;

M·J·阿布-哈利勒 .

美国专利 :CN113809158B ,2025-01-28

← 1 2 3 4 5 →