SOI衬底的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202080003712.2
申请日
2020-10-29
公开(公告)号
CN113133326A
公开(公告)日
2021-07-16
发明(设计)人
朴振源
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327
代理人
姜虎;陈英俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底 [P]. 
朴振源 .
韩国专利 :CN113345833B ,2024-10-25
[2]
多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底 [P]. 
朴振源 .
中国专利 :CN113345833A ,2021-09-03
[3]
SOI衬底的制造方法及SOI衬底 [P]. 
奥野直树 .
中国专利 :CN105047601A ,2015-11-11
[4]
SOI衬底的制造方法及SOI衬底 [P]. 
奥野直树 .
中国专利 :CN101887842A ,2010-11-17
[5]
SOI衬底的制造方法 [P]. 
花冈一哉 ;
津屋英树 ;
永井雅晴 .
中国专利 :CN101872740B ,2010-10-27
[6]
SOI衬底的制造方法 [P]. 
掛端哲弥 ;
栗城和贵 .
中国专利 :CN101425454A ,2009-05-06
[7]
SOI衬底的制造方法 [P]. 
井坂史人 ;
加藤翔 ;
根井孝征 ;
小松立 ;
沟井达也 ;
下村明久 .
中国专利 :CN101504930A ,2009-08-12
[8]
SOI衬底的制造方法 [P]. 
大沼英人 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN101409222A ,2009-04-15
[9]
SOI衬底的制造方法 [P]. 
远藤佑太 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN101533769B ,2009-09-16
[10]
SOI衬底的制造方法 [P]. 
大沼英人 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN101510524A ,2009-08-19