SOI衬底的制造方法及SOI衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510345359.7

申请日：

2010-05-13

公开(公告)号：

CN105047601A

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

奥野直树

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

申发振

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/762 申请公布日:20151111
2015-11-11	公开	公开
2015-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101636443186 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2015103453597 申请日:20100513

共 50 条

[1]

SOI衬底的制造方法及SOI衬底 [P].

奥野直树 .

中国专利 :CN101887842A ,2010-11-17

[2]

SOI衬底的制造方法 [P].

大沼英人 ;

挂端哲弥 ;

下村明久 ;

笹川慎也 ;

仓田求 .

中国专利 :CN101409216B ,2009-04-15

[3]

SOI衬底及其制造方法 [P].

大沼英人 ;

比嘉荣二 .

中国专利 :CN101728312B ,2010-06-09

[4]

SOI衬底的制造方法 [P].

花冈一哉 ;

津屋英树 ;

永井雅晴 .

中国专利 :CN101872740B ,2010-10-27

[5]

SOI衬底的制造方法 [P].

掛端哲弥 ;

栗城和贵 .

中国专利 :CN101425454A ,2009-05-06

[6]

SOI衬底的制造方法 [P].

大沼英人 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101409222A ,2009-04-15

[7]

SOI衬底的制造方法 [P].

远藤佑太 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101533769B ,2009-09-16

[8]

SOI衬底的制造方法 [P].

大沼英人 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101510524A ,2009-08-19

[9]

SOI衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

下村明久 ;

大沼英人 ;

挂端哲弥 ;

牧野贤一郎 .

中国专利 :CN101339899B ,2009-01-07

[10]

多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底 [P].

朴振源 .

韩国专利 :CN113345833B ,2024-10-25

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