SOI衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910206589.X

申请日：

2009-10-22

公开(公告)号：

CN101728312B

公开(公告)日：

2010-06-09

发明(设计)人：

大沼英人比嘉荣二

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2184 H01L2300 H01L2712

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

吕林红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101123717816 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:200910206589X 申请日:20091022
2014-04-09	授权	授权
2019-10-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20091022 授权公告日:20140409 终止日期:20181022
2010-06-09	公开	公开

共 50 条

[1]

SOI衬底的制造方法及SOI衬底 [P].

奥野直树 .

中国专利 :CN105047601A ,2015-11-11

[2]

SOI衬底的制造方法及SOI衬底 [P].

奥野直树 .

中国专利 :CN101887842A ,2010-11-17

[3]

SOI衬底及其制造方法 [P].

G·法伊弗 ;

M·莱维 ;

D·马丁 ;

J·A·斯林克曼 .

中国专利 :CN101425521B ,2009-05-06

[4]

SOI衬底的制造方法 [P].

花冈一哉 ;

津屋英树 ;

永井雅晴 .

中国专利 :CN101872740B ,2010-10-27

[5]

SOI衬底的制造方法 [P].

掛端哲弥 ;

栗城和贵 .

中国专利 :CN101425454A ,2009-05-06

[6]

SOI衬底的制造方法 [P].

大沼英人 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101409222A ,2009-04-15

[7]

SOI衬底的制造方法 [P].

远藤佑太 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101533769B ,2009-09-16

[8]

SOI衬底的制造方法 [P].

大沼英人 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101510524A ,2009-08-19

[9]

SOI衬底的制造方法 [P].

大沼英人 ;

挂端哲弥 ;

下村明久 ;

笹川慎也 ;

仓田求 .

中国专利 :CN101409216B ,2009-04-15

[10]

SOI衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

宫入秀和 ;

下村明久 ;

沟井达也 ;

比嘉荣二 ;

永野庸治 .

中国专利 :CN101308782B ,2008-11-19

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