功率半导体模块及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510504927.3

申请日：

2015-08-17

公开(公告)号：

CN105374786A

公开(公告)日：

2016-03-02

发明(设计)人：

柳春雷迪迪埃·科泰弗兰齐斯卡·布雷姆斯拉沃·基钦

申请人：

申请人地址：

芬兰赫尔辛基

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

H01L2312 H01L2500 H05K118 H05K330

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

杜诚;李春晖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-02	公开	公开
2019-08-09	授权	授权
2016-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652511095 IPC(主分类):H01L 23/495 专利申请号:2015105049273 申请日:20150817
2019-05-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 23/495 登记生效日:20190412 变更事项:申请人变更前权利人:ABB技术有限公司变更后权利人:ABB瑞士股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:芬兰赫尔辛基变更后权利人:瑞士巴登

共 50 条

[1]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

李硕浩 ;

赵俊亨 ;

朴成根 .

中国专利 :CN105047650A ,2015-11-11

[2]

功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法 [P].

柳春雷 ;

N·舒尔茨 ;

S·基辛 .

中国专利 :CN102646667A ,2012-08-22

[3]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

井川修 ;

望月英司 ;

早乙女全纪 ;

有川典男 .

中国专利 :CN1753177A ,2006-03-29

[4]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

R·波普 .

中国专利 :CN101026146A ,2007-08-29

[5]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

高山 ;

崔硕文 ;

金泰贤 ;

洪周杓 ;

张范植 ;

朴志贤 .

中国专利 :CN101958307B ,2011-01-26

[6]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

碓井修 ;

吉松直树 ;

菊池正雄 .

中国专利 :CN103219301A ,2013-07-24

[7]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

C·施魏克特 ;

J·赫格尔 ;

O·霍尔菲尔德 ;

W·雅各比 .

中国专利 :CN111799250A ,2020-10-20

[8]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

白水政孝 ;

商明 .

中国专利 :CN103824844A ,2014-05-28

[9]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

朴星珉 .

中国专利 :CN106206497B ,2016-12-07

[10]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

J·梅克巴赫 ;

C·比霍夫 ;

M·哈特曼 .

德国专利 :CN118629963A ,2024-09-10

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