功率半导体模块及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010227083.3

申请日：

2020-03-27

公开(公告)号：

CN111799250A

公开(公告)日：

2020-10-20

发明(设计)人：

C·施魏克特 J·赫格尔 O·霍尔菲尔德 W·雅各比

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

H01L2198 H01L23367

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘炳胜

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-20	公开	公开
2022-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/16 申请日:20200327

共 50 条

[1]

功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块 [P].

中村宏之 .

中国专利 :CN109712969A ,2019-05-03

[2]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

井川修 ;

望月英司 ;

早乙女全纪 ;

有川典男 .

中国专利 :CN1753177A ,2006-03-29

[3]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

碓井修 ;

吉松直树 ;

菊池正雄 .

中国专利 :CN103219301A ,2013-07-24

[4]

功率半导体模块以及用于制造功率半导体模块的方法 [P].

C·科赫 ;

S·克劳克 ;

M·N·闵采尔 .

中国专利 :CN112420683A ,2021-02-26

[5]

功率半导体模块的制造 [P].

F.莫恩 ;

柳春雷 ;

J.舒德雷尔 .

中国专利 :CN109983574A ,2019-07-05

[6]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[7]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

李硕浩 ;

赵俊亨 ;

朴成根 .

中国专利 :CN105047650A ,2015-11-11

[8]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

R·波普 .

中国专利 :CN101026146A ,2007-08-29

[9]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

高山 ;

崔硕文 ;

金泰贤 ;

洪周杓 ;

张范植 ;

朴志贤 .

中国专利 :CN101958307B ,2011-01-26

[10]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

柳春雷 ;

迪迪埃·科泰 ;

弗兰齐斯卡·布雷姆 ;

斯拉沃·基钦 .

中国专利 :CN105374786A ,2016-03-02

← 1 2 3 4 5 →