功率半导体模块以及用于制造功率半导体模块的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010842505.8

申请日：

2020-08-20

公开(公告)号：

CN112420683A

公开(公告)日：

2021-02-26

发明(设计)人：

C·科赫 S·克劳克 M·N·闵采尔

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

H01L2150 H01L2304 H01L2348

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

周家新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/16 申请日:20200820
2021-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块 [P].

中村宏之 .

中国专利 :CN109712969A ,2019-05-03

[2]

功率半导体模块以及功率半导体模块的制造方法 [P].

久米贵史 ;

志村隆弘 ;

松下晃 ;

藤野伸一 ;

高木佑辅 .

中国专利 :CN106415835A ,2017-02-15

[3]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

A·阿伦斯 ;

J·赫格尔 ;

M·霍伊 .

中国专利 :CN104517952B ,2015-04-15

[4]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

E·菲尔古特 ;

M·格鲁贝尔 ;

O·霍尔菲尔德 ;

M·莱杜特克 .

中国专利 :CN107871672B ,2018-04-03

[5]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

I·尼基廷 ;

D·阿勒斯 ;

A·格拉斯曼 ;

A·乌勒曼 .

中国专利 :CN111312678A ,2020-06-19

[6]

功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法 [P].

H·哈通 ;

D·西佩 .

中国专利 :CN102136469B ,2011-07-27

[7]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[8]

功率半导体模块和用于运行功率半导体模块的方法 [P].

D·多梅斯 .

中国专利 :CN102184914A ,2011-09-14

[9]

功率半导体模块及功率半导体模块组 [P].

朱楠 ;

徐贺 ;

史经奎 ;

邓永辉 ;

梅营 .

中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04

[10]

功率半导体模块的制造 [P].

F.莫恩 ;

柳春雷 ;

J.舒德雷尔 .

中国专利 :CN109983574A ,2019-07-05

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