一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011640772.3

申请日：

2020-12-31

公开(公告)号：

CN112701200A

公开(公告)日：

2021-04-23

发明(设计)人：

李国强姚书南柴华卿林志霆王文樑

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L29778 H01L2715 H01L218252

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈智英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	公开	公开
2021-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20201231

共 50 条

[1]

一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法 [P].

李国强 ;

姚书南 ;

柴华卿 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112701200B ,2024-04-19

[2]

一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件 [P].

李国强 ;

姚书南 ;

柴华卿 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN214848665U ,2021-11-23

[3]

一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成器件 [P].

李国强 .

中国专利 :CN218274603U ,2023-01-10

[4]

一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成方法及器件 [P].

李国强 .

中国专利 :CN115347086A ,2022-11-15

[5]

一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN112864292A ,2021-05-28

[6]

HEMT与MIS LED单片集成器件及其制备方法 [P].

谢敏 ;

何吉海 ;

胡茜 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120500181A ,2025-08-15

[7]

衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件 [P].

李国强 ;

姚书南 ;

孙佩椰 ;

万利军 ;

阙显沣 .

中国专利 :CN212209491U ,2020-12-22

[8]

一种单片集成器件的制作方法及单片集成器件 [P].

韩宇 .

中国专利 :CN105914582B ,2016-08-31

[9]

一种垂直式HEMT-LED集成器件 [P].

张贺秋 ;

王子坤 ;

邓群雄 ;

韩奎 ;

郭文平 ;

梁宏伟 ;

夏晓川 ;

张克雄 .

中国专利 :CN222692258U ,2025-03-28

[10]

一种HEMT与LED的集成器件 [P].

王阳 .

中国专利 :CN221687535U ,2024-09-10

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