化合物半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02105475.4

申请日：

2002-04-05

公开(公告)号：

CN1380682A

公开(公告)日：

2002-11-20

发明(设计)人：

宫嶋孝夫富谷茂隆碓井彰

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L2102 H01L3300 H01S500 C30B2940

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-05-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101661881405 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL021054754 申请日:20020405 授权公告日:20090422 终止日期:20150405
2003-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-11-20	公开	公开
2009-04-22	授权	授权
2002-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

化合物半导体衬底的制造方法 [P].

宫孝夫 ;

富谷茂隆 ;

碓井彰 .

中国专利 :CN101471246A ,2009-07-01

[2]

化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的制造方法以及半导体器件 [P].

柴田佳彦 ;

宫原真敏 ;

池田孝司 ;

国见仁久 .

中国专利 :CN101802979A ,2010-08-11

[3]

化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法 [P].

西浦隆幸 ;

堀江裕介 ;

坪仓光隆 ;

大滨理 .

中国专利 :CN1877854A ,2006-12-13

[4]

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法 [P].

八乡昭广 ;

松本直树 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN101241855A ,2008-08-13

[5]

化合物半导体衬底及其制造方法 [P].

F·勒泰特 ;

B·吉斯朗 .

中国专利 :CN100399511C ,2006-02-15

[6]

化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN102112666A ,2011-06-29

[7]

化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN104538525A ,2015-04-22

[8]

化合物半导体衬底 [P].

宫原贤一 ;

西浦隆幸 ;

坪仓光隆 ;

藤原新也 .

中国专利 :CN107039516A ,2017-08-11

[9]

化合物半导体衬底 [P].

宫原贤一 ;

西浦隆幸 ;

坪仓光隆 ;

藤原新也 .

中国专利 :CN103460349B ,2013-12-18

[10]

化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法 [P].

目崎义雄 ;

西浦隆幸 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN101314211B ,2008-12-03

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