化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610091740.6

申请日：

2006-06-12

公开(公告)号：

CN1877854A

公开(公告)日：

2006-12-13

发明(设计)人：

西浦隆幸堀江裕介坪仓光隆大滨理

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2912

IPC分类号：

H01L310256 H01L3300 H01L2100 H01L21302 H01L21306

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

王海川;樊卫民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-12-13	公开	公开
2009-04-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法 [P].

目崎义雄 ;

西浦隆幸 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN101314211B ,2008-12-03

[2]

化合物半导体衬底、化合物半导体衬底的制造方法以及半导体器件 [P].

柴田佳彦 ;

宫原真敏 ;

池田孝司 ;

国见仁久 .

中国专利 :CN101802979A ,2010-08-11

[3]

化合物半导体衬底 [P].

宫原贤一 ;

西浦隆幸 ;

坪仓光隆 ;

藤原新也 .

中国专利 :CN107039516A ,2017-08-11

[4]

化合物半导体衬底 [P].

宫原贤一 ;

西浦隆幸 ;

坪仓光隆 ;

藤原新也 .

中国专利 :CN103460349B ,2013-12-18

[5]

化合物半导体衬底的制造方法 [P].

宫嶋孝夫 ;

富谷茂隆 ;

碓井彰 .

中国专利 :CN1380682A ,2002-11-20

[6]

化合物半导体衬底的制造方法 [P].

宫孝夫 ;

富谷茂隆 ;

碓井彰 .

中国专利 :CN101471246A ,2009-07-01

[7]

半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今西健治 ;

吉川俊英 ;

田中丈士 ;

守谷美彦 ;

乙木洋平 .

中国专利 :CN101276792A ,2008-10-01

[8]

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法 [P].

八乡昭广 ;

松本直树 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN101241855A ,2008-08-13

[9]

化合物半导体衬底及其制造方法 [P].

F·勒泰特 ;

B·吉斯朗 .

中国专利 :CN100399511C ,2006-02-15

[10]

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体衬底、外延晶片及它们的制造方法 [P].

中山雅博 ;

樋口恭明 .

中国专利 :CN101630641A ,2010-01-20

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