半导体基板以及半导体基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880119996.0

申请日：

2008-12-26

公开(公告)号：

CN101897004A

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

高田朋幸山中贞则秦雅彦山本武继和田一实

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2120 H01L21331 H01L21338 H01L2926 H01L29737 H01L29778 H01L29812

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-15	授权	授权
2011-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101029375836 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2008801199960 申请日:20081226
2010-11-24	公开	公开
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599310341 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2008801199960 申请日:20081226 授权公告日:20120215 终止日期:20131226

共 50 条

[1]

半导体基板、半导体装置、以及半导体基板的制造方法 [P].

岩见正之 ;

古川拓也 .

中国专利 :CN103262214A ,2013-08-21

[2]

半导体基板的制造方法及半导体基板 [P].

秦淳也 ;

中野强 .

中国专利 :CN102301452A ,2011-12-28

[3]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

今冈功 ;

内田英次 ;

须田淳 .

中国专利 :CN105917443A ,2016-08-31

[4]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

佐泽洋幸 .

中国专利 :CN105431931A ,2016-03-23

[5]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

神川刚 ;

须田升 ;

山下文雄 ;

青木优太 ;

清田满成 .

日本专利 :CN120958553A ,2025-11-14

[6]

半导体基板、半导体基板的制造方法以及电子器件 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 ;

秦雅彦 ;

山本武继 ;

和田一实 .

中国专利 :CN101897000A ,2010-11-24

[7]

半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法 [P].

仓又朗人 ;

渡边信也 ;

佐佐木公平 ;

八木邦明 ;

八田直记 ;

东胁正高 ;

小西敬太 .

中国专利 :CN110869543A ,2020-03-06

[8]

半导体基板、半导体装置以及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 ;

岛田雅夫 ;

秦雅彦 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

久米英司 .

中国专利 :CN103403883B ,2013-11-20

[9]

半导体基板的制造方法及半导体基板 [P].

二井谷美保 ;

若林大士 ;

山田健人 ;

吉田和彦 .

中国专利 :CN114586132A ,2022-06-03

[10]

半导体基板以及半导体基板的检查方法 [P].

山田永 ;

山本大贵 ;

笠原健司 .

中国专利 :CN107078034A ,2017-08-18

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