半导体基板的制造方法及半导体基板

被引：0

申请号：

CN202080073540.6

申请日：

2020-10-08

公开(公告)号：

CN114586132A

公开(公告)日：

2022-06-03

发明(设计)人：

二井谷美保若林大士山田健人吉田和彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2131 H01L2712 C30B2518 C30B2906 C30B2908 C30B2910 C30B2938

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张晶;刘言

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201008
2022-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体基板的制造方法及半导体基板 [P].

秦淳也 ;

中野强 .

中国专利 :CN102301452A ,2011-12-28

[2]

半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法 [P].

山中贞则 ;

高田朋幸 ;

秦雅彦 .

中国专利 :CN102668029A ,2012-09-12

[3]

半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 ;

佐藤三千登 .

日本专利 :CN120917541A ,2025-11-07

[4]

半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 ;

佐藤三千登 .

日本专利 :CN120787371A ,2025-10-14

[5]

半导体基板的制造方法、半导体基板、及半导体基板的制造装置 [P].

荻原光彦 ;

桥本明弘 .

日本专利 :CN118435320A ,2024-08-02

[6]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 ;

秦雅彦 ;

山本武继 ;

和田一实 .

中国专利 :CN101897004A ,2010-11-24

[7]

半导体基板及制造半导体基板的方法 [P].

顾春雷 ;

周素芬 .

中国专利 :CN104934399A ,2015-09-23

[8]

半导体基板及半导体基板的制造方法 [P].

佐泽洋幸 .

中国专利 :CN102598215A ,2012-07-18

[9]

半导体基板、半导体装置、以及半导体基板的制造方法 [P].

岩见正之 ;

古川拓也 .

中国专利 :CN103262214A ,2013-08-21

[10]

半导体基板的制造方法及半导体基板 [P].

西川直宏 ;

中野强 ;

井上孝行 .

中国专利 :CN102414789A ,2012-04-11

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