一种选择性发射极太阳电池及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410727318.X

申请日：

2014-12-03

公开(公告)号：

CN104465873A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

张金龙王菊霞

申请人：

申请人地址：

215104 江苏省苏州市吴中区致能大道106号7号楼110室

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310224

代理机构：

广州三环专利代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747992512 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:201410727318X 申请公布日:20150325
2015-03-25	公开	公开
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607358938 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:201410727318X 申请日:20141203

共 50 条

[1]

一种选择性发射极太阳电池及其制作方法 [P].

陈东波 ;

刘强 ;

杨健 ;

陈如龙 ;

薛小兴 ;

张光春 .

中国专利 :CN102468364A ,2012-05-23

[2]

一种选择性发射极太阳电池硅片 [P].

张振光 ;

刘宏亮 .

中国专利 :CN202601631U ,2012-12-12

[3]

一种选择性发射极太阳电池及其制造方法 [P].

杨健 ;

陈如龙 ;

周杰 ;

刘强 ;

王玉林 ;

蔡昭 ;

耿聪 .

中国专利 :CN103367527A ,2013-10-23

[4]

一种选择性发射极太阳电池 [P].

班群 ;

康凯 ;

陈刚 .

中国专利 :CN202585438U ,2012-12-05

[5]

选择性发射极太阳电池的制备方法 [P].

徐冬星 ;

石劲超 .

中国专利 :CN101950780B ,2011-01-19

[6]

一种选择性发射极太阳电池的制备方法 [P].

金井升 ;

王单单 ;

蒋方丹 .

中国专利 :CN102709391A ,2012-10-03

[7]

一种渐变结构的选择性发射极太阳电池及其制作方法 [P].

靳瑞芳 ;

张辉 ;

叶聪建 .

中国专利 :CN103489938A ,2014-01-01

[8]

选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 [P].

刘伟 ;

万青 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102270703B ,2011-12-07

[9]

选择性发射极晶体硅太阳电池制造方法 [P].

包诞文 .

中国专利 :CN102723401A ,2012-10-10

[10]

一种选择性发射极晶体硅太阳电池 [P].

陈坤 ;

郭爱华 ;

郑战军 ;

许佳平 ;

陈亮 .

中国专利 :CN201490199U ,2010-05-26

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