无弧斑的真空电弧等离子体蒸发离化源

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专利类型
发明
申请号
CN200810000001.0
申请日
2008-01-02
公开(公告)号
CN101476106A
公开(公告)日
2009-07-08
发明(设计)人
王殿儒
申请人
申请人地址
100095北京市海淀区北安河路7号北京市95-020信箱
IPC主分类号
C23C1426
IPC分类号
C23C1424 C23C1432
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
无弧斑的真空电弧离子镀膜方法 [P]. 
王殿儒 ;
金佑民 .
中国专利 :CN101476107B ,2013-12-11
[2]
一种管状阴极受控电弧等离子体蒸发离化源 [P]. 
王殿儒 .
中国专利 :CN102102178A ,2011-06-22
[3]
磁控液体阴极电弧等离子体蒸发离化源、镀膜装置及方法 [P]. 
王殿儒 ;
田玉波 ;
陈庆振 ;
高军政 ;
王百湘 ;
田源 .
中国专利 :CN112708858A ,2021-04-27
[4]
双向过滤电弧等离子体源 [P]. 
理查德·P·韦尔蒂 .
中国专利 :CN101068449A ,2007-11-07
[5]
用于传输真空电弧等离子体的方法和装置 [P]. 
瓦洛迪迈尔·瓦西里耶维奇·瓦斯利夫 ;
瓦洛迪迈尔·埃夫格尼尔维奇·斯特雷恩茨基 .
中国专利 :CN103298969A ,2013-09-11
[6]
用脉冲电弧等离子体蒸发离化源制备纳米多层膜的方法 [P]. 
王殿儒 ;
徐健 ;
金佑民 .
中国专利 :CN1616707A ,2005-05-18
[7]
圆形靶阴极真空电弧源等离子体磁过滤矩形引出装置 [P]. 
吴先映 ;
黄杰 ;
廖斌 ;
张荟星 ;
肖天庆 .
中国专利 :CN105887035B ,2016-08-24
[8]
圆形靶阴极真空电弧源等离子体磁过滤矩形引出装置 [P]. 
吴先映 ;
肖天庆 ;
黄杰 ;
廖斌 ;
张荟星 .
中国专利 :CN204509452U ,2015-07-29
[9]
真空电弧等离子源 [P]. 
缪同群 ;
谢圣鸣 .
中国专利 :CN307412498S ,2022-06-21
[10]
电弧等离子体装置 [P]. 
周开根 .
中国专利 :CN103200758A ,2013-07-10