生产高纯硅的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080011131.X

申请日：

2010-09-09

公开(公告)号：

CN102369158B

公开(公告)日：

2012-03-07

发明(设计)人：

K·泽艾特

申请人：

申请人地址：

挪威奥斯陆

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

C01B3302 C30B2906

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李进;林毅斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	授权	授权
2012-03-07	公开	公开
2012-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101227122473 IPC(主分类):C01B 33/037 专利申请号:201080011131X 申请日:20100909
2018-08-03	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C01B 33/037 变更事项:专利权人变更前:埃尔凯姆太阳能公司变更后:瑞科斯太阳能源挪威公司变更事项:地址变更前:挪威奥斯陆变更后:挪威克里斯蒂安桑

共 50 条

[1]

高纯硅生产器具及高纯硅生产器具的制备方法 [P].

储晞 .

中国专利 :CN101671021A ,2010-03-17

[2]

高纯硅铁的生产方法 [P].

崔新东 .

中国专利 :CN1003604B ,1988-01-20

[3]

用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料 [P].

德丸慎司 ;

日吉正孝 ;

近藤次郎 ;

堂野前等 ;

岸田丰 ;

中泽滋 ;

尾上浩三 .

中国专利 :CN104271506B ,2015-01-07

[4]

高纯硅铁生产方法 [P].

宣俭 ;

刘成平 ;

何士刚 ;

孙万堂 ;

刘风先 ;

李满素 .

中国专利 :CN103131931A ,2013-06-05

[5]

高纯硅的制备方法 [P].

伊藤信明 ;

近藤次郎 ;

冈泽健介 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101137578A ,2008-03-05

[6]

高纯硅的制备方法 [P].

伊藤信明 ;

近藤次郎 ;

冈泽健介 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101137577A ,2008-03-05

[7]

高纯硅的制备方法 [P].

伊藤信明 .

中国专利 :CN101137575A ,2008-03-05

[8]

高纯硅的制备方法 [P].

伊藤信明 ;

近藤次郎 ;

冈泽健介 ;

冈岛正树 .

中国专利 :CN101137576A ,2008-03-05

[9]

生产高纯硅坯料的方法和装置 [P].

储晞 .

中国专利 :CN101638232B ,2010-02-03

[10]

制备高纯硅的方法 [P].

J·哈恩 ;

U·克拉特 ;

C·施米德 .

中国专利 :CN103052594A ,2013-04-17

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