高纯硅的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200680007451.1
申请日
2006-02-28
公开(公告)号
CN101137577A
公开(公告)日
2008-03-05
发明(设计)人
伊藤信明 近藤次郎 冈泽健介 冈岛正树
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
C01B33027
IPC分类号
代理机构
永新专利商标代理有限公司
代理人
于辉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高纯硅的制备方法 [P]. 
伊藤信明 ;
近藤次郎 ;
冈泽健介 ;
冈岛正树 .
中国专利 :CN101137578A ,2008-03-05
[2]
高纯硅的制备方法 [P]. 
伊藤信明 .
中国专利 :CN101137575A ,2008-03-05
[3]
高纯硅的制备方法 [P]. 
伊藤信明 ;
近藤次郎 ;
冈泽健介 ;
冈岛正树 .
中国专利 :CN101137576A ,2008-03-05
[4]
用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料 [P]. 
德丸慎司 ;
日吉正孝 ;
近藤次郎 ;
堂野前等 ;
岸田丰 ;
中泽滋 ;
尾上浩三 .
中国专利 :CN104271506B ,2015-01-07
[5]
一种高纯硅的制备方法 [P]. 
马文会 ;
戴永年 ;
杨斌 ;
刘大春 ;
吕东 ;
魏奎先 ;
梅向阳 ;
伍继君 ;
汪镜福 ;
徐宝强 ;
郁青春 ;
秦博 .
中国专利 :CN101372334A ,2009-02-25
[6]
制备高纯硅的方法 [P]. 
J·哈恩 ;
U·克拉特 ;
C·施米德 .
中国专利 :CN103052594A ,2013-04-17
[7]
一种高纯烟酰胺的制备方法 [P]. 
段小瑞 ;
朱帅康 ;
刘伟 ;
程业浩 ;
黄飞飞 .
中国专利 :CN119798153A ,2025-04-11
[8]
再循环高纯硅金属的方法 [P]. 
P·贝克 ;
R·吉巴拉 ;
J·M·萨瓦莱斯图恩 ;
G·V·欧艾 .
中国专利 :CN101687652A ,2010-03-31
[9]
生产高纯硅的方法 [P]. 
K·泽艾特 .
中国专利 :CN102369158B ,2012-03-07
[10]
高纯丙酮的制备方法 [P]. 
秦磊 ;
陈亮 ;
刘颖斌 ;
陈志坚 ;
蔡立鑫 ;
曹禄 .
中国专利 :CN119841721A ,2025-04-18